石墨電極、石墨支柱等石墨件。在單晶爐中，除了采用高純石墨制作加熱器外，還采用高純石墨制作石墨電極、石墨支柱、石墨保溫罩、石墨保溫蓋、石墨籽晶夾、石墨接渣盤、石墨托等，如圖所示。采用直拉法拉制錯單晶的原理、設(shè)備（采用單坩媧拉制時）和操作過程均與上述硅單晶的拉制基本上一樣，其不同是拉制緒單晶時可用石墨坩塌，而拉制硅單晶時須在石墨托上加裝石英坩竭，因?yàn)樵诟邷叵鹿枧c石墨起反應(yīng)。

石墨保溫筒。在區(qū)域熔煉中，常采用石墨保溫筒來降低位錯的密度。石墨筒被卡在下反線圈上，由高頻電磁場感應(yīng)加熱至紅，石墨筒的輻射熱使生產(chǎn)出來的晶體的熱損失減少，使其處于比較均勻的溫度場中，從而達(dá)到保溫的石墨圓筒的上端必須與熔區(qū)的下界面相平或略高，是降低位錯密度的關(guān)鍵。若低于結(jié)晶界簡2~3mm將使位錯密度上升至每平方厘米幾萬數(shù)量級，若在結(jié)晶界面之下iomm左右，將使單晶產(chǎn)生大量缺陷而接近多晶狀態(tài)。石墨筒和結(jié)晶界面的相對位置，主要決定于下反線圈距主線圈的距離，而石墨簡的上端必須與下反線固相平或高出石墨保溫筒的溫度要適宜，不宜太暗，也不宜太亮。若溫度過高使單晶表面熔化或產(chǎn)生滑移線。

石墨保溫筒的熱區(qū)有一定長度，并從上至下有一定梯度，故在下反線圈之下適當(dāng)位置繞一較大的線圈進(jìn)行輔助加熱。石墨簡發(fā)紅的情況，決定于它與下反線圈的相對位置，越向上越紅，越靠下越暗。石墨保溫筒和線圈接觸處，由于線圈內(nèi)冷卻水的作用可能使之變暗，故應(yīng)使線圈很少幾點(diǎn)接觸石墨。在線圈拐彎處由于磁力線密度很大，使石墨在該處特亮，應(yīng)在該處石墨上鋸口，使亮點(diǎn)消失。用石墨簡保溫的方法雖然對穩(wěn)定生產(chǎn)較低位錯密度的區(qū)熔單晶時比較方便，對單晶電阻率沒有帶來可察覺的影響。但是，應(yīng)注意研究石墨簡的放置方式，嚴(yán)格處理和正確使用石墨保溫筒來避免其他不良影響。

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